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Examen 04 02 2005 CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS ELECTRONIQUE A code n Première session vendredi février h - h sans documents Tout résultat donné sans unités sera considéré comme faux Tout schéma électrique sans orientation des générateurs des

CONSERVATOIRE NATIONAL DES ARTS ET METIERS ELECTRONIQUE A code n Première session vendredi février h - h sans documents Tout résultat donné sans unités sera considéré comme faux Tout schéma électrique sans orientation des générateurs des courants et des tensions sera considéré comme faux Les exercices peuvent être traités dans un ordre quelconque EXERCICE dopage pts On donne un fragment du tableau de la classi ?cation périodique des éléments suivants On considère un cristal de silicium intrinsèque de concentration intrinsèque ni cm- à K On désire obtenir à partir de ce cristal un semi- conducteur de type P en le dopant a Quels atomes de la classi ?cation allez vous choisir comme impuretés pour quelles raisons b On désire obtenir une concentration en trous libres po cm- Quelle est la concentration des impuretés nécessaire au dopage et leur proportion dans le silicium sachant que le nombre d ? atomes par cm- du silicium est de c En déduire la concentration en électrons de ce semi-conducteur ainsi dopé C EXERCICE photodiode et diode électroluminescente pts Donner la dé ?nition du potentiel photovolta? que on ne demande pas d ? équations Illustrer cette dé ?nition au moyen de la caractéristique d ? une photodiode sous éclairement que l ? on aura tracée On réalise un photocoupleur au moyen d ? une diode électroluminescente à l ? émission et d ? une photodiode à la réception Sachant que les deux diodes doivent être polarisées pour faire fonctionner le photocoupleur indiquer en reliant les connexions E F A B et C D G H les branchements corrects des alimentations E A G C R R V B F B A D E L photodiode V D H Photocoupleur EXERCICE Transistor MOSFET pts Soit le transistor MOSFET à enrichissement BSS dont les caractéristiques sont les suivantes Rappeler en dix lignes maximum le principe de conduction d ? un transistor à enrichissement en précisant ce que représente physiquement la tension de seuil En utilisant les graphes fournis préciser la valeur de la tension de seuil de ce transistor Préciser la nature du substrat p ou n de ce transistor On se polarise au point P des caractéristiques Donner les valeurs numériques au point de repos de ID VDS et VGS Dessiner le schéma équivalent en petits signaux basses fréquences de ce transistor Préciser au moyen des caractéristiques fournies les valeurs numériques des éléments de ce schéma équivalent au point de repos une précision de est su ?sante C P C EXERCICE Ampli ?cation pts Les parties I II sont indépendantes On considère le montage suivant utilisant un transistor bipolaire npn et une alimentation VCC V Le gain statique en courant ? nominal typique est de La tension VBE on est de V C Rg k ig Eg VI R k VCC V RC k C R k iL VL CE RE k RL k I Etude générale et polarisation Quel est le type de montage élémentaire utilisé E C B C C C justi ?er votre